太陽能多晶硅片

產(chǎn)品簡介
一、設備概況 晶體類型：多晶硅 摻雜物：為滿足一定的電阻率要求，加入硼與硅材料混合后實現(xiàn)目標電阻率。

詳細信息

一、設備概況 

晶體類型：多晶硅

摻雜物：為滿足一定的電阻率要求，加入硼與硅材料混合后實現(xiàn)目標電阻率。

二、技術(shù)參數(shù) 

電學特性

電阻率：0.8Ω.cm～3.0Ω.cm（平均1.5Ω.cm）

少數(shù)載流子壽命：>2 µs

導電類型：P型

化學特性

碳含量：<2×1018 cm-3

氧含量：<4×1017 cm-3

尺寸

硅片尺寸：156 mm×156 mm±0.5 mm

          125 mm×125 mm±0.5 mm

硅片厚度：200 µm±30 µm

偏差：≤50 µm

弓形：≤60 µm 

線痕：≤20 µm

邊緣缺陷：無

其他

硅片表面：切面完整清潔。

污染物：無污垢，油污、皂液、粘合劑的殘留物、指紋等